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更新?lián)Q代的ASEMI低壓降二極管

新型工藝技術(shù)分解

低壓降肖特基二極管工藝技術(shù)是怎么樣的呢?看看ASEMI工程為您解讀新型工藝的分解

ASEMI低壓降的更新?lián)Q代

如今隨著低壓降肖特基二極管逐漸面世，SBT20100VF為何一出市就遭到瘋搶?SBT20100VF和SBT20100UF又有何區(qū)別呢?

每一代的低壓降肖特基二極管采用著不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封裝工藝，那么產(chǎn)品更新?lián)Q代中又有著哪些同工異曲呢?ASEMI工程師為您分析。

低壓降年度爆款

SBT20100VF和SBT20100UF此類20A，100V低正向肖特基產(chǎn)品是2016年市場熱點產(chǎn)品，定額電流下，正向壓降比常規(guī)肖特基低近30%。采用先進的溝槽制造工藝,可提高2%以上的滿載效率.ASEMI品牌低壓降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF，兩者都是采用TRENCH先進工藝，同是三只腳共陰結(jié)構(gòu)。

SBT20100VF的V代表V版LOW VF(100V V版VF=0.63v),而SBT20100UF的是代表

ULTRA LOW VF(100V U版VF=0.58v)。我們也可以從表圖看出SBT20100VF和

SBT20100UF之間差異主要在于VF值。

歷經(jīng)三代更替

首先，我們ASEMI品牌的低壓降肖特基二極管，歷經(jīng)五年開發(fā)，目前已擁有三代LOW VF SKY。該產(chǎn)品主要專注于對電源轉(zhuǎn)換效率,而達到超低VF值特性和快速開關(guān)特性，能助您電源產(chǎn)品滿足電源開關(guān)效率及節(jié)能的要求，ASEMI對低壓降肖特基二極管每一代都有著新突破的技術(shù)更新。

平面工藝分解(第二代)

ASEMI低壓降肖特基第二代，采用平面MOS工藝，將MOSFET制造工藝融入于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞結(jié)構(gòu)的密度，從而克服傳統(tǒng)肖特基在VF和IR在參數(shù)上的平衡問題，即保持了傳統(tǒng)肖特基的優(yōu)點，又解決了傳統(tǒng)肖特基在漏電設(shè)計上做遇到的屏障。ASEMI品牌五年來對該技術(shù)專研，如今又有著何“芯”突破呢?