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ASEMI-SBT20100VFCT為什么會(huì)成為當(dāng)今低壓降的趨勢(shì)?

返回列表來(lái)源:ASEMI 作者: 發(fā)布日期:2019.03.26 瀏覽:-
摘要:ASEMI-SBT20100VFCT是當(dāng)下肖特基二極管中的趨勢(shì)所向,選SBT20100VFCT就選強(qiáng)元芯。

低壓肖特基的趨勢(shì)走向

在未來(lái)的電子行業(yè)中,小,薄,消耗低,越來(lái)越受到大家的重視,比如SBT20100VFCT是一款低壓降的肖特基二極管,普通的肖特基二極管壓降在0.8V左右,已經(jīng)比普通的二極管1.1V的電壓降低了很多,而SBT20100VFCT的壓降更是降低到0.51V,比普通的二極管消耗低了近40%,大大降低了電路中不需要的損耗,提高了能源的利用率,同時(shí),節(jié)約環(huán)保越來(lái)越受到人們的重視,而降低損耗,提高能源利用率又恰恰是相當(dāng)重要的一部分。

ASEMI SBT20100VFCT


01

性能優(yōu)勢(shì) 

ASEMI SBT20100VFCT

以肖特基二極管SBT20100VFCT為例,產(chǎn)品為T(mén)O-220封裝,正向電流20A,反向耐壓100V,正向壓降0.51V,正向峰值浪涌電流150A,反向泄漏電流20UA。其電性參數(shù)如圖。


ASEMI SBT20100VFCT
02

SBT20100VFCT-產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

肖特基二極管SBT20100VFCT 采用抗沖擊能力芯片;采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備,減少人工操作環(huán)節(jié),同時(shí)檢測(cè)Vb、Io、If、Vf、Ir等12個(gè)參數(shù)經(jīng)過(guò)6道檢測(cè)。更是打破業(yè)界測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以?xún)?nèi);正向壓降Vf由0.8V加嚴(yán)到0.51V即單顆管芯VF控制在0.38V以?xún)?nèi);

END

來(lái)源:強(qiáng)元芯

作者:雷雷

圖片:網(wǎng)絡(luò)


本文標(biāo)簽:ASEMI SBT20100VFCT 上一篇:橋堆采購(gòu)遇到劣質(zhì)產(chǎn)品會(huì)帶來(lái)怎樣的惡果呢? 下一篇:10V45超低VF值—ASEMI半導(dǎo)體正式進(jìn)軍低壓降市場(chǎng)
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